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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P20180HR6
NOTES
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MRF5P21045NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF5P21180HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
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相关代理商/技术参数
MRF5P20180HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5P20180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor